[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括形成基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述基底包括衬底；位于器件区衬底上的鳍部，位于器件区衬底上的初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，所述隔离区衬底上具有初始凹槽；在所述初始凹槽侧壁表面形成第一覆盖层，在所述隔离区衬底上形成隔离凹槽；形成填充于所述隔离凹槽的隔离层；刻蚀所述初始隔离结构，暴露出鳍部部分侧壁和顶部表面，形成隔离结构。所述第一覆盖层能够减少形成所述隔离层的反应物中具有氧化性的气体与邻近所述隔离层的鳍部侧壁接触，从而限制邻近所述隔离层的鳍部被氧化，进而降低鳍部宽度的不一致性，改善半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述基底包括：衬底、位于器件区衬底上的鳍部、位于器件区衬底上的初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，所述隔离区衬底内具有初始凹槽；在所述凹槽侧壁表面形成第一覆盖层，形成隔离凹槽；形成填充于所述隔离凹槽内的隔离层；在形成所述隔离层之后，刻蚀所述初始隔离结构，暴露出鳍部部分侧壁和顶部表面，形成隔离结构；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面。