[发明专利]绝缘栅双极晶体管的制造方法

摘要

本发明公开一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括下述步骤：1、制作轻掺杂衬底晶片；2、在晶片上形成电介质层；3、在电介质层上淀积未掺杂的多晶硅层；4、对未掺杂的多晶硅层和电介质层进行图案化处理，以形成栅极沟槽；5、淀积硅以在单晶硅表面上形成单晶硅，并在晶片表面的剩余部分上形成多晶硅；6、形成栅电介质；7、形成栅电极，8、形成多晶硅基区，9、形成重掺杂的多晶硅发射区和多晶硅扩散区，10、淀积层间电介质；11、对层间电介质进行图案化处理，12、形成发射极，13、减薄晶片以形成漂移区，14、通过离子注入和退火在背侧形成缓冲区，15、在背侧形成集电区，16、在背侧形成集电极。可以使器件具有理论上最低通态压降。

主权项

1.一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征是：所述的制造方法包括下述步骤：（1）、制作轻掺杂衬底晶片；（2）、在所述晶片上形成电介质层（333）；（3）、在所述电介质层（333）上淀积未掺杂的多晶硅层；（4）、对所述未掺杂的多晶硅层和电介质层（333）进行图案化处理，以形成栅极沟槽（541）；（5）、淀积硅以在单晶硅表面上形成单晶硅，并在所述晶片表面的剩余部分上形成多晶硅；（6）、形成栅电介质（332）；（7）、通过多晶硅淀积和回蚀刻形成栅电极（322），（8）、通过离子注入和驱入形成多晶硅基区（313），（9）、形成重掺杂的多晶硅发射区（311）和多晶硅扩散区（312），（10）、淀积层间电介质（331）；（11）、对所述层间电介质（331）进行图案化处理，（12）、通过淀积金属层和图案化处理形成发射极（321），（13）、减薄所述晶片以形成漂移区（314），（14）、通过离子注入和退火在背侧形成缓冲区（315），（15）、通过离子注入和退火在所述背侧形成集电区（316），（16）、通过淀积金属层并合金而在所述背侧形成集电极（323）。