[发明专利]渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺有效
| 申请号： | 201610313055.7 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105845716B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张进成;黄金金;于婷;陆芹;郝跃;薛军帅;杨林安;林志宇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/88 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 in 组分 ingan 量子 rtd 二极管 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管，包括：位于衬底(1)上方的GaN外延层(2)，位于GaN外延层(2)上方位置的n+GaN集电极欧姆接触层(3)，位于n+GaN集电极欧姆接触层(3)上方中央位置的第一GaN隔离层(4)，第一InAlN势垒层(5)、GaN主量子阱层(6)、第二InAlN势垒层(7)、第二GaN隔离层(9)、n+GaN发射极欧姆接触层(10)、圆形电极(12)依次从下至上竖直分布在第一GaN隔离层(4)上方，位于n+GaN集电极欧姆接触层(3)上方且不与第一GaN隔离层(4)接触的环形电极(11)；其特征在于：渐变In组分的InGaN子量子阱(8)位于第二InAlN势垒层(7)和第二GaN隔离层(9)之间，InGaN子量子阱(8)的In组分是从第二InAlN势垒层(7)到第二GaN隔离层(9)等步上升的，其中In组分是指InN占InGaN中的比例；钝化层(13)使用AlN材料，位于n+GaN集电极欧姆接触层(3)上方。
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