[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中该半导体元件包含有一其上形成有多个晶体管元件的基底、至少一设置于该多个晶体管元件之间的外延结构、以及一设置于该外延结构之上的三层结构。该外延结构包含有一第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该三层结构包含有一未掺杂外延层、一金属‑半导体化合物层、以及一夹设于该未掺杂外延层与该金属‑半导体化合物层之间的掺杂外延层。该未掺杂外延层与该掺杂外延层包含有至少该第二半导体材料。

主权项

一种半导体元件，包含有：基底，包含有多个晶体管元件，形成于该基底上；至少一外延结构，设置于该多个晶体管元件之间，该外延结构包含有第一半导体材料与第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数；以及三层结构，设置于该外延结构之上，且该三层结构包含有：未掺杂外延层，包含有至少该第二半导体材料；金属‑半导体化合物层；以及掺杂外延层，夹设于该未掺杂外延层与该金属‑半导体化合物层之间，且该掺杂外延层包含有至少该第二半导体材料。