[发明专利]一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法在审
| 申请号： | 201610316827.2 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106018018A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王炯翀;王亮;何永强;刘焱;苏耿贤;陈越 | 申请（专利权）人： | 苏州博飞克分析技术服务有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法。该方法使用手动研磨代替聚焦离子束来制备TEM样品，使样品中的晶格缺陷在极小或极浅的情况下均能被发现，而且不受晶格缺陷的方向的影响。极大地促进了晶格缺陷的发现与观测，准确率高，对TEM样品的制备的研究具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失效 分析 晶格 缺陷 tem 样品 制备 新方法 | ||
【主权项】：
一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将样品研磨到接触孔,在聚焦离子束中找到需要观测的点，在其附近分别做一个横向和纵向的记号；(2)然后浸泡到氢氟酸中，待硅衬体露出来后，将样品表面用粘结材料粘在载玻片上；(3)用手动研磨机进行背面减薄至TEM薄度，然后将金属环粘在样品上，用美工刀沿金属环外侧将其割裂，放入丙酮泡到将样品和载玻片分离；(4)将制备好的样品放入TEM进行物理失效分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州博飞克分析技术服务有限公司，未经苏州博飞克分析技术服务有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610316827.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种等速采样的环境空气采样器
- 下一篇：一种水压法测量硅片机械强度的装置
