[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，本发明通过在第一开口中形成保护层，保护层露出第一开口侧壁与基底表面连接处的导电结构；之后通过使部分导电结构氧化，使位于第一开口侧壁与基底表面连接处的导电结构被氧化；再去除被氧化的导电结构，能够去除位于导电结构上的凸起结构。也就是说，本发明技术方案能够通过去除被氧化的导电结构，去除导电结构上，且位于第一开口侧壁与基底表面连接处的凸起结构，从而能够增大第二开口的尺寸，能够减少填充第二开口时空腔的形成，能够有效的改善导电材料的填充效果，提高所形成互连结构的电连接性能，改善所形成半导体结构的可靠性。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底中形成第一开口；形成位于所述第一开口侧壁以及所述基底表面上的导电结构；在所述第一开口中形成保护层，所述保护层露出所述第一开口侧壁与所述基底表面连接处的导电结构；氧化部分厚度的导电结构；去除所述保护层以及被氧化的导电结构，形成第二开口；向所述第二开口内填充导电材料以形成互连结构。