[发明专利]用于半导体元件的超接面结构有效
| 申请号： | 201610320079.5 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105932045B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张崇健 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;许志影 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明有关于一种用于半导体元件的超接面结构，该超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上。该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、或超接面二极管。本发明提高了超接面结构的反向耐压且具有高深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 元件 超接面 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上，其中先在该第一导电型磊晶层上依次磊晶成长多个低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层，每一低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层具有多个高浓度第二导电型离子布植区，及多个分别在每一高浓度第二导电型离子布植区旁边的低浓度第二导电型离子布植区；藉由离子驱入步骤以在该多个低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层中形成前述的多个高浓度第二导电型柱及多个低浓度第二导电型侧壁；其中所述多个第二导电型柱沿着深度方向连通﹐且所述多个第二导电型侧壁也沿着深度方向连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于节能元件控股有限公司，未经节能元件控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610320079.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
