[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610320407.1 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762248A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄文宾;蔡吉明;黄静;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法，首先于有源层表面形成铟富集层，以利于后续氮化铟的沉积；后通过分步、低温成长形成一镁 Delta掺杂的P型插入层，所述P型插入层包括铟富集层、第一氮化铟层、镁富集层及第二氮化铟层，由于氮化铟材料的能隙较低，利用瞬间高镁浓度使镁源扩散进入第一氮化铟层和第二氮化铟层，增加了P型插入层掺入镁的效率，进而增加镁的空穴浓度及降低镁的激活能，调节p‑n结结区的位置，提升器件的内部量子发光效率；同时低温生长的氮化铟层可减少对有源层的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，至少包括依次层叠的N型层、有源层和P型层，其特征在于：在所述P型层与所述有源层之间包括一P型插入层，所述P型插入层从下至上依次包括周期性层叠的铟富集层、第一氮化铟层、镁富集层和第二氮化铟层。
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