[发明专利]半导体器件

摘要

半导体元件(9)的元件电极(12、17)设置在单元区(1)中，而电连接到半导体衬底(6)的最外周电极(21)设置在周边区(2)中。在周边区(2)中，第二导电型层(7)设置在超级结结构之上。电位分割区(23)设置在第二导电型层(7)之上，以电连接元件电极(12、17)和最外周电极(21)，并还将元件电极(12、17)和最外周电极(21)之间的电压分成多个级。当从半导体衬底(6)的厚度方向看时，电位分割区(23)的一部分与周边区(2)重叠。

主权项

1.一种半导体器件，包括形成半导体元件(9)的单元区(1)和包围所述单元区(1)的周边区(2)，所述半导体器件包括：半导体衬底(6)，其包括第一导电型层(3)和形成在所述第一导电型层(3)之上并用作漂移区的第一导电型柱区(4)和第二导电型柱区(5)，所述第一导电型柱区(4)和所述第二导电型柱区(5)形成超级结结构，所述半导体衬底(6)的一部分包括在所述单元区(1)中，而所述半导体衬底(6)的另一部分包括在所述周边区(2)中；所述超级结结构中的第一导电型电荷量和第二导电型电荷量在所述单元区(1)中被设定为相等，所述半导体衬底(6)还包括在所述周边区(2)中的电荷平衡变化区，其中在所述电荷平衡变化区中，所述超级结结构中的所述第一导电型电荷量朝着所述单元区(1)的外周边方向逐渐增大到大于所述第二导电型电荷量，其中所述超级结结构包括电荷平衡变化结构，在所述电荷平衡变化结构中，所述第一导电型电荷量与所述第二导电型电荷量之间的关系也在深度方向上逐渐改变，并且其中当所述第一导电型柱区(4)和所述第二导电型柱区(5)的重复单位是柱间距并且过剩浓度N由所述过剩浓度N＝(所述第二导电型电荷量‑所述第一导电型电荷量)/所述柱间距来给出时，当N1是在所述电荷平衡变化区(27)中的最内周位置处的过剩浓度、N2是从所述单元区(1)延伸到所述外周边方向在所述电荷平衡变化区(27)中的最外周位置处的过剩浓度、以及x是在所述电荷平衡变化区(27)中的从所述最内周位置到所述最外周位置的距离时所述电荷平衡变化区(27)中朝着所述外周边方向的过剩浓度的浓度变化梯度dN/dx＝(N1‑N2)/x和当N3是在所述单元区(1)中的表面位置处的过剩浓度、N4是在所述单元区(1)中的最深位置处的过剩浓度以及z是在所述单元区(1)中从所述表面位置到所述最深位置的距离时在所述电荷平衡变化结构中在深度方向上的过剩浓度的浓度变化梯度dN/dz＝(N3‑N4)/z满足dN/dx≤dN/dz的关系。