[发明专利]形成包括焊盘部分和线部分的精细图案的方法有效
申请号: | 201610320441.9 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN106816364B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 金睹涓 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种形成精细图案的方法包括在基层上形成间隔物。间隔物包括间隔物块、设置为面对间隔物块的第一开口区域以及从间隔物块延伸到第一开口区域的第一线。间隔件形成在间隔物的侧壁上,以限定与第一开口区域重叠的第二开口区域,并且包括在第一线的侧壁上的第二线。可以去除间隔物,以打开被间隔物块占用的第三开口区域和第二线之间的间隔。目标图案形成为包括填充第二线之间的间隔的第三线、填充第二开口区域的第一焊盘块以及填充第三开口区域的第二焊盘块。将第一和第二焊盘块中的每一个分离成多个焊盘。 | ||
搜索关键词: | 形成 包括 部分 精细 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种形成精细图案的方法,所述方法包括:在基层上形成间隔物,其中,间隔物包括间隔物块部分、设置为面向间隔物块部分的第一开口区域以及多个第一线部分,第一线部分从间隔物块部分的侧壁向第一开口区域延伸,以便第一线部分的端部与第一开口区域接触;在间隔物的侧壁上形成间隔件,其中,间隔件包括包围与第一开口区域重叠的第二开口区域的间隔件环路部分、在第一线部分中的每一个的两个侧壁上的多个第二线部分、在第一线部分的端部的侧壁上的第一连接部分以及在间隔物块部分的侧壁在第一线部分之间的部分上的第二连接部分;去除间隔物,以暴露与由间隔物块部分占用的区域相对应的第三开口区域,并且暴露第二线部分之间的所有间隔;形成填充由间隔件暴露的区域的目标图案,其中,目标图案包括填充第二线部分之间的间隔的第三线部分、填充第二开口区域的第一焊盘块部分以及填充第三开口区域的第二焊盘块部分;并且将第一焊盘块部分和第二焊盘块部分中的每一个分离成多个焊盘部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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