[发明专利]一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法有效
| 申请号： | 201610321875.0 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107393872B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8248 | 分类号： | H01L21/8248 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，该制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型N PN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过未遮盖区域对第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。本发明在不改变BCD工艺上其他相关器件参数的同时，提升了NPN三极管的电性参数β值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bcd 工艺 寄生 npn 三极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在所述深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型NPN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在所述第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，所述第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过所述未遮盖区域对所述第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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