[发明专利]倒装LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610325068.6 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105789402B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;林素慧;何安和;刘小亮 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行干法蚀刻处理，蚀刻时间为10~30s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
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