[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
申请号: | 201610330569.3 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN105977359B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 卡尔·恩格尔;马库斯·毛特;斯特法尼·格拉梅尔斯贝格尔;安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 提出一种具有半导体本体(2)和载体(7)的光电子半导体芯片(1),在所述载体上设置半导体本体,其中半导体本体具有有源区域(20),所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间。第一半导体层设置在有源区域的朝向载体的一侧上。第一半导体层与设置在载体和半导体本体之间的第一连接层(31)导电地连接。在第一连接层和载体之间设置有封装层,所述封装层在半导体芯片的俯视图中至少局部地突出于对半导体本体限界的侧面(26)。此外,提出一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电子半导体芯片(1),具有半导体本体(2)和载体(7),在所述载体上设置有所述半导体本体,其中‑所述半导体本体具有有源区域(20),所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22)之间;‑所述第一半导体层设置在所述有源区域的朝向所述载体的一侧上;‑所述第一半导体层与设置在所述载体和所述半导体本体之间的第一连接层(31)导电地连接;‑在所述第一连接层和所述载体之间设置有封装层(6);‑所述封装层在所述半导体芯片的俯视图中至少局部地突出于对所述半导体本体限界的侧面(26);‑所述封装层覆盖所述半导体本体的朝向所述载体的主面的区域,在所述区域中所述主面不被所述第一连接层覆盖;‑所述封装层以金属构成。
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