[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有目标材料层；在目标材料层上形成通过开口相互隔离的若干个条状的核图案，以及在核图案的侧壁上形成间隙壁；形成覆盖述间隙壁、核图案和目标材料层的牺牲层，牺牲层的顶面高于间隙壁的顶面；依次循环执行第一回蚀刻步骤和第二回蚀刻步骤若干次，其中，第一回蚀刻步骤蚀刻去除部分牺牲层，第二回蚀刻步骤蚀刻去除部分间隙壁；去除剩余的牺牲层和剩余的核图案；以剩余的间隙壁为掩膜，蚀刻目标材料层，以形成位于目标材料层中的若干沟槽。根据本发明的方法，避免了间隙壁倒塌问题的出现，提高了器件的良率和性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有目标材料层；在所述目标材料层上形成通过开口相互隔离的若干个条状的核图案，以及在所述核图案的侧壁上形成间隙壁；形成覆盖所述间隙壁、所述核图案和所述目标材料层的牺牲层，所述牺牲层的顶面高于所述间隙壁的顶面；依次循环执行第一回蚀刻步骤和第二回蚀刻步骤若干次，其中，所述第一回蚀刻步骤蚀刻去除部分所述牺牲层，使剩余的所述牺牲层的顶面高于所述目标材料层的顶面低于所述间隙壁的顶面，第二回蚀刻步骤蚀刻去除部分所述间隙壁，使剩余的所述间隙壁的顶面高于所述目标材料层的顶面低于剩余的所述牺牲层的顶面；去除剩余的所述牺牲层和剩余的所述核图案；以剩余的所述间隙壁为掩膜，蚀刻所述目标材料层，以形成位于所述目标材料层中的若干沟槽。