[发明专利]一种有效抑制电源电压影响的电流镜有效

专利信息
申请号: 201610333070.8 申请日: 2016-05-18
公开(公告)号: CN105867518B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 王宇星;钱英杰;居吉乔 申请(专利权)人: 无锡科技职业学院
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)32227 代理人: 顾吉云
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种有效抑制电源电压影响的电流镜,其可有效提高输出电流对电源电压波动的抑制能力,保证电流精度;其包括参考电流产生电路、第一镜像电路、第二镜像电路及电流输出电路,所述参考电流产生电路的输出端连接所述第一镜像电路、第二镜像电路的输入端,所述第一镜像电路、第二镜像电路的输出端输出至所述电流输出电路。
搜索关键词: 一种 有效 抑制 电源 电压 影响 电流
【主权项】:
一种有效抑制电源电压影响的电流镜,其特征在于:其包括参考电流产生电路、第一镜像电路、第二镜像电路及电流输出电路,所述参考电流产生电路的输出端连接所述第一镜像电路、第二镜像电路的输入端,所述第一镜像电路、第二镜像电路的输出端输出至所述电流输出电路;所述第二镜像电路包括PMOS管PM3、NMOS管NM7、NMOS管NM8,所述PMOS管PM3的栅极接NMOS管NM1的漏极,所述PMOS管PM3的源极接电源,所述PMOS管PM3的漏极接所述NMOS管NM7的漏极,所述NMOS管NM7的栅极接NMOS管NM2的漏极,所述NMOS管NM7的源极接所述NMOS管NM8的漏极,所述NMOS管NM8的栅极接所述NMOS管NM7的漏极,所述NMOS管NM8的源极接地。
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