[发明专利]采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法在审
| 申请号： | 201610333352.8 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107400919A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;刘彤;刘京明;赵有文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法，包括在封闭的石英管内，一端放入Ga2O3粉末作为源，另一端放入生长Ga2O3的籽晶；控制源区与生长区的温度分布来实现源区至生长区的气相传输，生长Ga2O3单晶。而且，生长过程中在所述源中放入的碳粉。本发明方法中，从生长过程来看，闭管化学气相传输方式比物理气相传输的生长温度低，碳粉的加入更使石英管内分解产物的蒸气压增大，生长速率加快，因而生长的成本比较低。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 化学 相传 方式 生长 ga2o3 方法 | ||
【主权项】：
一种采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法，其特征在于包括：在封闭的石英管内，一端放入Ga2O3粉末作为源；另一端作为生长区，放入生长Ga2O3的籽晶；控制源区与生长区的温度分布来实现源区至生长区的气相传输，生长Ga2O3单晶。
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