[发明专利]三维半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201610341728.X | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106169307B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫;李到显;朴泳雨;安洙珍;李载悳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04;G11C16/34;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11556;H01L29/16;H01L27/11526;H01L27/1157;H01L27/11529;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种三维半导体存储器装置及其操作方法，该三维半导体存储器装置包括：单元阵列，形成在第一基底上；以及外围电路，形成在被第一基底至少部分地叠置的第二基底上，其中外围电路被构造为提供用于控制单元阵列的信号。单元阵列包括：绝缘图案和栅极图案，交替堆叠在第一基底上；至少第一支柱，形成在与第一基底垂直的方向上，并且通过绝缘图案和栅极图案而与第一基底接触。三维半导体存储器装置还包括：包括与第一基底相邻的第一栅极图案和第一支柱的第一地选择晶体管，以及包括位于第一栅极图案上的第二栅极图案和第一支柱的第二地选择晶体管，其中，第一地选择晶体管不可编程，第二地选择晶体管是可编程的。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：单元阵列，形成在第一基底上；以及外围电路，形成在被第一基底至少部分地叠置的第二基底上，外围电路被构造为提供用于控制单元阵列的信号，其中，单元阵列包括：绝缘图案和栅极图案，交替堆叠在第一基底上；以及至少一个第一支柱，形成在与第一基底垂直的方向上，并且通过绝缘图案和栅极图案而与第一基底接触，其中，第一地选择晶体管包括与第一基底相邻的第一栅极图案和第一支柱，第二地选择晶体管包括位于第一栅极图案上的第二栅极图案和第一支柱，并且其中，第一地选择晶体管不可编程，第二地选择晶体管是可编程的。
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