[发明专利]粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置在审

专利信息
申请号: 201610341819.3 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN106167687A 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 木村雄大;三隅贞仁;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J163/00 分类号: C09J163/00;C09J161/06;C09J133/04;C09J11/04;C09J7/02;H01L23/488
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明目的在于提供可在回流焊中防止自引线框的剥离、能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框的粘接片,以及包含该粘接片的切割带一体型粘接片、薄膜等。本发明第1方式的粘接片具备如下性质:通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85%RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上。其还具备如下性质:通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa~100MPa。玻璃化转变温度为100℃以下。热导率为1W/m·K以上。本发明中第2方式的粘接片包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂和填料。
搜索关键词: 粘接片 切割 体型 薄膜 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种粘接片,通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85%RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上,通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa~100MPa,通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的玻璃化转变温度为100℃以下,通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的热导率为1W/m·K以上。
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