[发明专利]基于有限状态机控制的存储器读写方法和存储器装置有效
申请号: | 201610342963.9 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN107403641B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 许家铭;倪昊;周世聪;郑晓;赵子鉴 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于有限状态机控制的存储器读写方法及存储器装置。所述有限状态机包括读状态、加载状态、擦除状态、写状态、放电状态。所述方法包括:在所述有限状态机进入所述加载状态之后,接收输出使能信号;所述输出使能信号触发所述有限状态机进入所述读状态,从而使得所述读状态和所述加载状态同时发生。基于有限状态机控制的存储器读写方法有效减小了存储器的读写操作时间而无需额外的外部读缓冲器。 | ||
搜索关键词: | 基于 有限状态机 控制 存储器 读写 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基于有限状态机控制的存储器读写方法,所述有限状态机包括读状态、加载状态,其特征在于,所述方法包括:在所述有限状态机进入所述加载状态之后,接收输出使能信号;所述输出使能信号触发所述有限状态机进入所述读状态,从而使得所述读状态和所述加载状态同时发生。
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