[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201610345387.3 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107424953B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 包小燕;董天化 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上堆叠形成有外延层和扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成图案化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述外延层进行离子注入并进行热退火，以形成硅通孔区域；去除所述扩散阻挡层，以露出所述硅通孔区域；在所述硅通孔区域以及所述硅通孔区域下方的所述半导体衬底部分的周围形成隔离结构，以形成硅通孔。本发明所述方法不需要额外的金属填充，避免了产生的孔洞(void)、研磨时的过度抛光(over polish)，以及金属与硅衬底(或氧化物绝缘层)之间的应力匹配等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上堆叠形成有外延层和扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成图案化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述外延层进行离子注入并进行热退火，以形成硅通孔区域；去除所述扩散阻挡层，以露出所述硅通孔区域；在所述硅通孔区域以及所述硅通孔区域下方的所述半导体衬底部分的周围形成隔离结构，以形成硅通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
