[发明专利]双面电池的掺杂方法

摘要

本发明公开了一种双面电池的掺杂方法，包括S1对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；S2通过CVD在该硅衬底的第一表面上形成含磷掺杂剂，通过CVD在该硅衬底的第二表面上形成含硼掺杂剂；S3在750℃‑1000℃下热处理步骤S2所得的结构，以使得磷进入第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，硼进入第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层；S4去除残余的含磷掺杂剂和残留的含硼掺杂剂，对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。本发明的掺杂方法只需一步高温工艺，就能完成两个表面的不同类型掺杂，且能保留两面的绒面，由此制得的双面电池的背面效率和正面效率非常接近。

主权项

一种双面电池的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；S2：通过CVD在该硅衬底的第一表面上形成含磷掺杂剂，通过CVD在该硅衬底的第二表面上形成含硼掺杂剂；S3：在750℃‑1000℃下热处理步骤S2所得的结构，以使得磷进入第一表面侧的硅衬底中形成磷掺杂层，硼进入第二表面侧的硅衬底中形成硼掺杂层；S4：去除残余的含磷掺杂剂和残留的含硼掺杂剂，对硅衬底进行等离子体边缘刻蚀。