[发明专利]一种具有倾斜贯穿硅通道的晶片封装及其制备方法有效
| 申请号： | 201610351606.9 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107180816B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑泰强;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的晶片封装包含至少一集成电路晶粒。该至少一集成电路晶粒包含：一基板部，具有位于一前侧与一背侧之间的一内面；位于该前侧上的一电互连部；位于该电互连部的上表面上的至少一第一连接终端；位于该基板部的该背侧上的至少一第二连接终端；电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端的至少一连接线；位于该基板部的该内面与该电互连部的上表面之间的一晶片选择终端；以及一晶片选择线。该晶片选择线连接至该晶片选择终端及该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端其中之一。该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包含一倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 连接终端 晶片选择 基板部 电互连 集成电路晶粒 连接线 晶片封装 倾斜部 上表面 内面 终端 电连接 硅通道 线连接 制备 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种晶片封装，包括至少一集成电路晶粒，其特征在于，该至少一集成电路晶粒包括：一基板部，具有位于一前侧与一背侧之间的一内面；一电互连部，位于该前侧上；至少一第一连接终端，位于该电互连部的一上表面上；至少一第二连接终端，位于该基板部的该背侧上；至少一连接线，电连接该至少一第一连接终端与该至少一第二连接终端；一晶片选择终端，位于该基板部的该内面与该电互连部的该上表面之间；以及一晶片选择线，连接至该晶片选择终端以及该至少一第二连接终端与该至少一第一连接终端其中之一；其中该晶片选择线与该至少一连接线至少其中之一包括一倾斜部，该倾斜部相对于该基板部的该背侧倾斜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610351606.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
