[发明专利]晶圆抛光方法有效
| 申请号： | 201610353248.5 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107433517B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B39/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶圆抛光方法，该方法包括：膜厚测量步骤，对晶圆进行膜厚测量；移放晶圆步骤，将晶圆移放至工艺位置；预湿润及电化学抛光步骤，预湿润晶圆后对晶圆进行电化学抛光；后续处理步骤，对晶圆进行后续处理；晶圆根据其膜厚，预湿润及电化学抛光步骤被重复执行多次后才进入后续处理步骤。采用本发明的技术方案，能够大大缩短工艺时间，并保证抛光得到的晶圆表面具有良好的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆抛光方法，其特征在于，包括：膜厚测量步骤，对晶圆进行膜厚测量；移放晶圆步骤，将晶圆移放至工艺位置；预湿润及电化学抛光步骤，预湿润晶圆后对晶圆进行电化学抛光；后续处理步骤，对晶圆进行后续处理；所述晶圆根据其膜厚，预湿润及电化学抛光步骤被重复执行多次后才进入后续处理步骤。
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