[发明专利]一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法

摘要

本发明涉及一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法，以常温贮存数据为基础，选取三个不同的高温点进行加速贮存寿命试验，通过高温点数据和常温数据进行对比，得到高温贮存条件相对常温贮存条件的加速因子，根据加速因子得到高温贮存试验的时间，该方法包括一个常温贮存寿命试验、三个不同高温点的高温加速贮存寿命试验、一个有效的计算评价方法，该方法成功地将高温加速贮存寿命试验数据与常温贮存寿命数据进行比对，并将测试结果进行最小二乘法拟合计算，从而解决了传统长期贮存寿命评价耗费时间长、甚至来不及作完寿命试验，新的产品又设计出来，老产品就要被淘汰了的难题，大大缩短了长期贮存寿命评价时间，节约了评价成本。

主权项

一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)分组试验：将四组样品分别放在一个常温和三个不同高温下进行加速贮存寿命试验，试验过程中不加电，试验过程中分别对四组样品进行定期测试，高温样品测试时样品需恢复至常温，记录测试数据，对关键参数计算平均值；高温试验时间根据高温点数据和常温数据对比分析确定，在达到高温试验时间后，继续进行试验，再得到两个测试点数据后结束试验；(2)评价方法：以常温数据为基础，选取三个不同的高温点进行加速贮存寿命试验，通过高温点数据和常温数据进行对比，得到高温贮存条件相对常温贮存条件的加速因子，根据加速因子得到高温试验时间，在相应高温点下进行相应时间的加速贮存寿命试验，试验结果即为常温特定年限贮存寿命的预计结果；(3)数据计算：根据一关键参数建立阿伦尼斯加速模型，确定加速因子，得出高温贮存时间与常温贮存时间的对应关系；取每个测试点的数据平均值作为该点的测试数据，对测试数据进行最小二乘法拟合，得到线性方程；将高温点数据拟合方程的斜率与常温数据拟合方程的斜率进行比较，得到高温贮存试验对应常温贮存试验的加速因子，常温贮存时间除以加速因子得到高温加速贮存寿命试验的试验时间。