[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610357316.5 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107464813A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;杨海玩;金龙灿;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，该半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区，其中在所述核心区上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层；层间介电层覆盖所述栅极叠层并密封相邻所述栅极叠层之间的空隙，且在相邻所述若干栅极叠层之间形成空气隙，其中，所述空气隙从所述栅极叠层的底部至少延伸到所述栅极叠层的顶部，以完全隔离相邻的所述栅极叠层。本发明的半导体器件在相邻字线之间设置有空气隙(air gap)，改善NAND闪存的串扰问题，并提高循环性能，进而NAND闪存的整体性能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区，其中在所述核心区上形成有包括浮栅、隔离层、控制栅的若干栅极叠层；层间介电层覆盖所述栅极叠层并密封相邻所述栅极叠层之间的空隙，且在相邻所述若干栅极叠层之间形成空气隙，其中，所述空气隙从所述栅极叠层的底部至少延伸到所述栅极叠层的顶部，以完全隔离相邻的所述栅极叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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