[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610362447.2 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107437506B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;华克路;彭进 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底，衬底表面具有鳍部；形成位于鳍部顶部上的牺牲层；对鳍部的第一侧壁和顶部进行第一离子注入；对鳍部的第二侧壁和顶部进行第二离子注入。本发明技术方案通过在鳍部顶部上形成牺牲层，之后再对鳍部进行第一离子注入和第二离子注入。牺牲层能够遮挡离子注入的部分剂量，使鳍部在每次离子注入过程中受到的注入剂量减小，进而使受到两次离子注入的鳍部顶部掺杂离子浓度与受到一次离子注入的鳍部第一侧壁和第二侧壁掺杂离子浓度相当，能够有效的提高鳍部侧壁和顶部掺杂浓度的均匀度，有利于提高所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述鳍部包括平行于鳍部延伸方向且相背的第一侧壁和第二侧壁；形成位于所述鳍部顶部上的牺牲层；对所述鳍部的第一侧壁和顶部进行第一离子注入；对所述鳍部的第二侧壁和顶部进行第二离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
