[发明专利]半导体封装的电镀方法

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种半导体封装的电镀方法，其包括去氧化、分别用自来水和纯水清洗半导体封装引线框架、活化、电镀、分别用自来水和纯水清洗半导体封装引线框架、中和、分别用自来水和热纯水清洗半导体封装引线框架以及烘干等步骤。执行去氧化步骤时，在每100升去氧化溶液中添加45—55毫升非离子型表面活性剂(最好是添加50毫升OP‑10乳化剂)，其作用是使该去氧化过程兼顾了去氧化和除油两种效果。本发明能有效解决半导体封装引线框架中的铝合金散热片在碱性电解除油溶液中的反应变色问题，提升产品的成品率，并使产品的性能更加稳定。

主权项

1.一种半导体封装的电镀方法，包括下述步骤：步骤一，去氧化，使用每升含有2到4克去氧化粉剂的去氧化溶液将半导体封装引线框架表面的氧化层除去；执行步骤一时，在每100升去氧化溶液中添加50毫升OP‑10乳化剂；步骤二，用自来水清洗半导体封装引线框架，至少清洗两次；步骤三，用纯水清洗半导体封装引线框架，至少清洗两次；步骤四，活化，将浓度为4％—6％的左旋酒石酸溶液与浓度为3％—6％的甲基磺酸溶液按1比2至1比3的体积比制成混合液后，再对半导体封装框架进行处理；步骤五，电镀，所用电镀液的成分包括170～200g/L甲基磺酸、55～65g/L甲基磺酸锡、40～60ml/L的添加剂；步骤六，用自来水清洗半导体封装引线框架，至少清洗两次；步骤七，用纯水清洗半导体封装引线框架，至少清洗一次；步骤八，中和；使用弱碱性化学试剂进一步将电镀过程中残留在半导体封装引线框架表面的镀液清洗干净；步骤九，用自来水清洗半导体封装引线框架，至少清洗两次；步骤十，用热纯水清洗半导体封装引线框架，至少清洗两次；步骤十一，烘干，亦即充分烘干半导体封装引线框架表面的水分。