[发明专利]一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610365591.1 申请日: 2016-05-29
公开(公告)号: CN106024110B 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 吴木营;杨雷;何林;凌东雄 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/35
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 罗晓林
地址: 523808 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法,所述锡酸锶基柔性透明导电电极沉积在柔性透明基材衬底上,所述锡酸锶基柔性透明导电电极为SrSnO3/Ag/SrSnO­3复合层状结构,由两层SrSnO3薄膜层夹着Ag层组成。所述锡酸锶基柔性透明导电电极的制备方法包括SrSnO3薄膜层沉积、Ag层沉积和SrSnO3薄膜层二次沉积等步骤。本发明的锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法具有光学透过率高、导电性能优良、工艺流程简单和应用前景广阔的特点。
搜索关键词: 一种 锡酸锶基 柔性 透明 导电 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种锡酸锶基柔性透明导电电极,其特征在于:所述锡酸锶基柔性透明导电电极沉积在柔性透明基材衬底上,所述锡酸锶基柔性透明导电电极为SrSnO3/Ag/SrSnO3复合层状结构,由两层SrSnO3薄膜层夹着Ag层组成;其中,所述SrSnO3薄膜层的厚度为30nm ~ 50nm;所述Ag层的厚度为8nm ~ 11nm;所述SrSnO3薄膜层和所述Ag层是通过磁控溅射方式沉积在柔性透明基材衬底上;所述柔性透明基材衬底为PC、PET或PEN。
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