[发明专利]一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法有效
申请号: | 201610365591.1 | 申请日: | 2016-05-29 |
公开(公告)号: | CN106024110B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 吴木营;杨雷;何林;凌东雄 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/35 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 罗晓林 |
地址: | 523808 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法,所述锡酸锶基柔性透明导电电极沉积在柔性透明基材衬底上,所述锡酸锶基柔性透明导电电极为SrSnO3/Ag/SrSnO3复合层状结构,由两层SrSnO3薄膜层夹着Ag层组成。所述锡酸锶基柔性透明导电电极的制备方法包括SrSnO3薄膜层沉积、Ag层沉积和SrSnO3薄膜层二次沉积等步骤。本发明的锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法具有光学透过率高、导电性能优良、工艺流程简单和应用前景广阔的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 锡酸锶基 柔性 透明 导电 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锡酸锶基柔性透明导电电极,其特征在于:所述锡酸锶基柔性透明导电电极沉积在柔性透明基材衬底上,所述锡酸锶基柔性透明导电电极为SrSnO3/Ag/SrSnO3复合层状结构,由两层SrSnO3薄膜层夹着Ag层组成;其中,所述SrSnO3薄膜层的厚度为30nm ~ 50nm;所述Ag层的厚度为8nm ~ 11nm;所述SrSnO3薄膜层和所述Ag层是通过磁控溅射方式沉积在柔性透明基材衬底上;所述柔性透明基材衬底为PC、PET或PEN。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞理工学院,未经东莞理工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610365591.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。