[发明专利]一种M2型单晶硅快速收尾方法有效
申请号: | 201610375078.0 | 申请日: | 2016-05-31 |
公开(公告)号: | CN105803519B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 王会敏;何京辉;曹祥瑞;颜超;程志;范晓甫;周子江;赵贝;刘钦;陈二星 | 申请(专利权)人: | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 054001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及单晶炉提拉法生长单晶硅棒技术领域,尤其是涉及特定直径单晶硅棒的收尾方法,具体公开了一种M2型单晶硅快速收尾方法,通过单晶上升拉速和温校速率等收尾参数的改进,将收尾过程按收尾长度分为0‑3mm、3‑80 mm、81‑100 mm三次。本发明能够使M2型单晶硅棒收尾长度缩短至100mm,收尾时间减少0.5小时,降低原材料用量及能耗,提高生产效率和产能,降低M2型单晶硅生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 m2 单晶硅 快速 收尾 方法 | ||
【主权项】:
一种M2型单晶硅快速收尾方法,其特征在于,包括前生长、缩径生长和后生长;所述前生长包括:将坩埚停止上升,单晶上升拉速设定为1.00mm/min,温校速率设定为15‑20,收尾开始,至收尾长度达到3mm,再将单晶上升拉速降至0.7 mm/min,温校速率设定为10;所述缩径生长包括:收尾长度在3‑80 mm之间,随收尾长度增长逐次增大单晶拉速并升高温校速率;所述后生长包括:收尾长度在81mm,将温校速率降低至0,单晶上升拉速提高0.05 mm/min;收尾长度在82‑91mm之间,随收尾长度增长逐次增大单晶拉速至1.98 mm/min;收尾长度在91mm之后,保持单晶上升拉速为匀速,待收尾长度达到100mm,将单晶硅棒提断,收尾结束。
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