[发明专利]CZ‑80单晶炉自动收尾方法有效

专利信息
申请号: 201610375201.9 申请日: 2016-05-31
公开(公告)号: CN105803520B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 王会敏;何京辉;曹祥瑞;颜超;程志;范晓甫;周子江;赵贝;刘钦;陈二星 申请(专利权)人: 邢台晶龙电子材料有限公司
主分类号: C30B15/22 分类号: C30B15/22;C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所13120 代理人: 陆林生
地址: 054001 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及单晶炉提拉生长单晶硅棒技术领域,尤其是涉及特定单晶炉的自动控制方法,具体公开了一种CZ‑80单晶炉自动收尾方法,通过利用CZ‑80单晶炉的现有单晶生长PLC控制系统,对温校和单晶拉速参数进行设定,控制单晶收尾的长度、直径,实现单晶自动化收尾操作,能够降低单晶硅棒生长过程中的收尾时间,提高收尾效率,能够降低收尾时的断尾率,提高收尾产能,降低收尾的生产成本,并使收尾形状美观。
搜索关键词: cz 80 单晶炉 自动 收尾 方法
【主权项】:
CZ‑80单晶炉自动收尾方法,其特征在于,用CZ‑80单晶炉的单晶生长PLC控制系统进行收尾操作,包括:1)单晶收尾开始时单晶拉速和温校值的设定,以及2)单晶收尾结束前随单晶收尾长度的变化而调节单晶拉速和温校值;所述步骤1)中,收尾开始时温校值为20,收尾开始时单晶拉速a依据单晶等径生长末尾段的平均拉速设定,若该平均拉速低于0.8mm/min,则将a设为0.6mm/min,若该平均拉速高于0.8mm/min,则将a设为0.7mm/min;所述步骤2)中,单晶收尾长度达到20mm后,随单晶收尾长度增长逐次增大单晶拉速并同时降低温校值,直至单晶拉速为b且温校值为0,其中b=(a+0.61)mm/min;单晶拉速的每次增加值在总体上呈递增关系,其递增量为0.01~0.05mm/min;温校值每次降低1~3;所述温校值是CZ‑80单晶炉单晶生长PLC控制系统中的功率变化参数,满足如下关系:温校值设定为x,则每过1min,单晶炉的加热功率对应增加y,y=x×2.5w;其中,w为加热功率y的单位。
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