[发明专利]半导体存储装置及其加扰方法有效
| 申请号： | 201610380744.X | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107045887B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 须藤直昭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及其加扰方法，可实现数据加扰功能与可存取时间的兼顾。本发明的半导体存储装置包含具有数据加扰功能的页面缓冲器及读出电路。页面缓冲器及读出电路在编程动作时，保持要编程的数据，对所保持的数据进行加扰处理并编程至存储器阵列的选择页面，在读出动作时，保持从选择页面读出的数据，且对所保持的数据进行解扰处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置的加扰方法，其特征在于，在编程动作时，页面缓冲器/读出电路保持要编程的数据，且对所保持的数据进行加扰处理并编程至存储器阵列的选择页面，在读出动作时，所述页面缓冲器/读出电路保持从所述选择页面读出的数据，且对所保持的数据进行解扰处理。
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