[发明专利]一种黑硅电池的制作方法和装置

摘要

本发明公开了一种黑硅电池的制造方法和装置，其中，制造方法包括步骤1，采用O3部件对P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度高于中心区域的O2流过的浓度；步骤2，对所述P型金刚线硅片进行磷扩散。所述黑硅电池的制造方法和装置，通过在磷扩散之前对P型金刚线硅片进行氧化，由于四周的O2流过的浓度高于中心区域的O2流过的浓度，P型金刚线硅片的中心区域沉积的氧化层的厚度小于四周的氧化层的厚度，而氧化层会使得磷扩散变慢，这样使得磷扩散是的均匀性更好，表面的扩散方阻更加均匀，有利于改善黑硅电池的电学性能。

主权项

一种黑硅电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤1，采用O3部件对P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O2流过的浓度高于中心区域的O2流过的浓度；步骤2，对所述P型金刚线硅片进行磷扩散；其中，所述O3部件用于对P型金刚线硅片进行氧化，包括设置在所述P型金刚线硅片流过处的中央区域的过滤网，所述过滤网用于使得所述P型金刚线硅片的四周的O2浓度高于所述P型金刚线硅片的中央的O2浓度。