[发明专利]MEMS麦克风及其制备方法有效
申请号: | 201610389572.2 | 申请日: | 2016-06-03 |
公开(公告)号: | CN107465983B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 胡永刚 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种MEMS麦克风,包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层,基板的中部设有第一开口,下电极层横跨于基板上;牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在下电极层上,并在牺牲层、应力层上开设第二开口;应力层的厚度与基板的翘曲程度相匹配。上述MEMS麦克风,可根据半导体基板的翘曲或形变程度改变应力层的厚度,使应力层的厚度或应力与基板的翘曲程度相匹配,通过改变应力层的厚度和应力,进而对基板施加与基板变形方向相反的力,以减轻或消除基板的变形。此外,还提供一种MEMS麦克风的制备方法,该制备方法可以与现有MEMS麦克风制造工艺完美兼容、便于生产、成本低、成品率高。 | ||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS麦克风,其特征在于,包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层,所述基板的中部设有第一开口,所述下电极层横跨于所述基板上;所述牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在所述下电极层上,并在所述牺牲层、应力层上开设第二开口;所述应力层的应力方向与所述基板的翘曲方向相反,所述应力层的厚度根据所述基板的翘曲程度确定;所述第二开口与所述第一开口对应设置。
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