[发明专利]一种GaAs微波功放芯片的半自动共晶焊接方法及产品

摘要

本发明公开了一种GaAs微波功放芯片半自动共晶焊接方法，其包括：(1)对载体、焊料和裸芯片进行清洁；(2)对功放裸芯片进行搪锡；(3)对载体进行搪锡；以及(4)共晶焊接，即对搪锡裸芯片预热，对已安装有搪锡载体的共晶加热焊台进行加热并同步打开氮气进行保护，吸取裸芯片并停止加热辅助加热台，待共晶加热焊台升温至一定温度以上时，将裸芯片对位准确后摩擦共晶在载体上；待载体在空气中自然冷却后清洗干净。本发明还公开了该方法制备的相应的GaAs微波功放芯片。本发明通过对具体工艺中的清洁、预热、搪锡等工艺细节进行控制，并优化其中的工艺参数，从而可以制备得到空洞率较小、虚焊少和性能优良的芯片，焊接成功率大大提高。

主权项

1.一种GaAs微波功放芯片半自动共晶焊接方法，其包括：(1)对载体、焊料和裸芯片进行清洁将载体、焊料浸入无水乙醇中，浸泡半小时后用超声波清洗1min，晾干待用；采用等离子对裸芯片进行清洗，去除焊接面的氧化物和有机污染物；(2)对功放裸芯片进行搪锡，具体为：将裸芯片固定在共晶加热焊台上，对共晶加热焊台进行加热，同步打开氮气进行保护；升温后将焊料片放于所述裸芯片上，并控制搪锡工装摩擦焊料片，使熔化后的焊料片薄层均匀平铺在裸芯片上，裸芯片经受(300±10)℃时间不超过20s；取下裸芯片放于隔热垫上，降温后关闭氮气保护；(3)对载体进行搪锡，具体为：将载体固定在共晶加热焊台上，对共晶加热焊台进行加热，同步打开氮气进行保护；升温至220℃‑240℃后将焊料片放于载体上，控制搪锡工装摩擦焊料片，使熔化后的焊料片薄层均匀平铺在载体上，载体经受(300±10)℃时间不超过20s；关闭共晶加热焊台，降温后关闭氮气保护；(4)共晶焊接，具体为：用辅助加热台对搪锡裸芯片预热，对已安装有搪锡载体的共晶加热焊台进行加热并同步打开氮气进行保护，在共晶加热焊台升温至220℃‑240℃后，吸取裸芯片并停止加热辅助加热台，待共晶加热焊台升温至一定温度以上时，将裸芯片对位准确后摩擦共晶在载体上，裸芯片经受(300±10)℃时间不超过20s；关闭共晶加热焊台，取下载体放于隔热垫上，待载体和裸芯片的温度降低后关闭氮气保护；待载体在空气中自然冷却后清洗干净，共晶焊接完成。