[发明专利]石墨烯光电探测器

摘要

本发明公开了一种石墨烯光电探测器。该探测器的结构从上至下依次包括金/镍层作为源极和漏极连接外部电路；石墨烯作为电子传输层；二氧化硅作为绝缘介质层；半导体纳米结构作为光吸收载体；硅衬底作为栅电极。该探测器的工作波段可依据采用半导体纳米结构的种类，尺寸等进行有效调控，且同时拥有优异的光灵敏度，响应时间快，成功地突破了石墨烯光电器件在超高速、超灵敏度响应，以及不同需求响应波段范围三者性能之间的瓶颈。此外，该探测器制备工艺简单，且与现今硅技术和半导体纳米结构的制备技术完全兼容。

主权项

一种石墨烯光电探测器，其特征在于，源极和漏极连接外部电源，1层或1层以上的石墨烯电子传输层设置在绝缘介质层之上；绝缘介质层下方依次设有半导体纳米结构层和栅电极层；所述半导体纳米结构层为2层以上；所述漏极和栅电极层通过栅电源连接；半导体纳米结构层采用CdSe，CdS或PbS半导体材料，单层厚度为3‑8nm。