[发明专利]确定聚焦位置修正的方法、光刻处理元和器件制造方法有效
申请号: | 201610397542.6 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN105892238B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | A·基斯特曼;A·基尔;W·泰尔;T·希尤维斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了用于确定光刻投影设备的聚焦位置校正量的方法和相关设备。所述方法包括在测试衬底上曝光多个全局校正场,每个全局校正场包括多个全局校正标记,且每个校正标记被用在其上的倾斜的聚焦位置偏置曝光;测量多个全局校正标记中的每个全局校正标记的依赖于聚焦位置的特性,以确定场间聚焦位置变化信息;和根据所述的场间聚焦位置变化信息来计算场间聚焦位置校正量。 | ||
搜索关键词: | 确定 聚焦 位置 修正 方法 光刻 处理 器件 制造 | ||
【主权项】:
一种用于确定光刻投影设备的聚焦位置校正量的方法,所述方法包括:测量在测试衬底上的多个场内校正标记中的每一个场内校正标记的依赖于聚焦位置的特性,其中所述场内校正标记布置在多个场内校正场中,所述场内校正标记已经被使用变化的聚焦位置曝光;根据所述被测量的依赖于聚焦位置的特性来确定每一场内校正标记位置的场内聚焦位置变化信息;根据所述场内聚焦位置变化信息计算所述场内聚焦位置校正量;其中所述计算场内聚焦位置校正量的步骤包括:考虑向上扫描向下扫描效应,由此被测量的参数显示了在光刻过程期间依赖于扫描方向的变化。
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