[发明专利]CVD单晶金刚石的二维扩大方法有效
| 申请号： | 201610398798.9 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN106012003B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马志斌;吴超;黄宏伟;张田田;宋修曦 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶金刚石材料的制造方法。一种CVD单晶金刚石的二维扩大方法，其特征在于包括如下步骤：a.选将单晶金刚石籽晶置于中心开有孔的衬底托之内，使得单晶金刚石籽晶暴露；衬底托由金属钼做成；b. 将带有单晶金刚石籽晶的衬底托放入沉积室；对沉积室抽真空；c. 通过微波等离子体化学气相沉积法产生等离子体：向沉积室通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，沉积室内部气体吸收微波能量激发产生等离子体；从使得单晶金刚石能够在顶部表面和四个侧面同时生长，实现单晶金刚石的二维扩大；d.剥离，即可获得大尺寸的单晶金刚石。该方法涉及的是利用微波等离子体化学气相沉积法在单晶金刚石衬底上二维生长单晶金刚石，从而扩大单晶金刚石的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶金刚石 二维 沉积室 衬底托 籽晶 微波等离子体化学气相沉积 等离子体 单晶金刚石材料 生长单晶金刚石 顶部表面 气体流量 气体吸收 微波功率 微波能量 抽真空 金属钼 室内部 氢气 衬底 放入 甲烷 沉积 气压 剥离 侧面 暴露 激发 生长 制造 | ||
【主权项】：
一种CVD单晶金刚石的二维扩大方法，其特征在于包括如下步骤：a.选择一个具有平整生长表面的单晶金刚石籽晶，厚度至少是1mm；将单晶金刚石籽晶置于中心开有孔的衬底托之内，使得单晶金刚石籽晶暴露，单晶金刚石籽晶上表面与衬底托表面有一定的高度差；衬底托由金属钼做成；b.将带有单晶金刚石籽晶的衬底托放入沉积室；对沉积室抽真空；c.通过微波等离子体化学气相沉积法产生等离子体：向沉积室通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，沉积室内部气体吸收微波能量激发产生等离子体；如步骤a所描述的，通过调节单晶金刚石籽晶上表面与衬底托的高度，使得等离子体在顶部表面和四个侧面有着相同的状态，从而使得单晶金刚石能够在顶部表面和四个侧面同时生长，实现单晶金刚石的二维扩大；d.二维扩大生长完成后，使用激光将扩大后的那一部分单晶金刚石生长层从衬底上剥离下来，即可获得大尺寸的单晶金刚石。
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