[发明专利]一种三氧化钼纳米棒的制备方法有效
申请号: | 201610401980.5 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN105836803B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 苗凤娟;李倩倩;陶佰睿;张微 | 申请(专利权)人: | 齐齐哈尔大学 |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 齐齐哈尔鹤城专利事务所23207 | 代理人: | 刘丽 |
地址: | 161006 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种三氧化钼纳米棒的制备方法,属于金属微加工技术领域,它包括制作金属钼基底、制作刻蚀溶液、深度刻蚀金属钼使其形成氧化层、制备三氧化钼纳米棒四大步骤,经扫描电子显微镜(SEM)观察,在AgNO3溶液浓度为0.01 M、HNO3溶液浓度为3.6 M、温度为(20±2)℃、刻蚀90 min、600℃下程控退火两小时后制备氧化钼纳米材料有良好的形貌。该方法操作简单、造价低廉并且利于控制反应进程,有利于推进大规模制备氧化钼纳米材料进程。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化钼 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三氧化钼纳米棒的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:第一步:制作金属钼基底A、选取纯度为99.99%的钼箔,规格为1 cm * 1 cm * 0.1 cm;B.通过五步超声清洗,去除钼箔表面杂质,分别是:去离子水,时间:5min;丙酮,时间:5min;去离子水,时间:5min;1M NaOH溶液,时间:5min;去离子水,时间:5min;C.室温下晾干;第二步:制作刻蚀溶液所述的刻蚀溶液成分及配比如下:A.HNO3质量分数为65%,加去离子水稀释配置其物质的量浓度为3.6M,HNO3与H2O体积比为1:3;B.配置AgNO3物质的量浓度为0.01M,方法是取0.034g AgNO3放入20ml的A溶液中;C.将B中配置的溶液放入超声仪中超声5min,目的是使溶液均匀,备用;第三步:深度刻蚀金属钼,将金属钼基底浸入刻蚀溶液中刻蚀形成氧化层A.将第一步中制得的金属钼基底浸入第二步中的刻蚀溶液中刻蚀90min,保证室温20±5 ℃;B.将A中刻蚀后的样品放入物质的量浓度为3.6M的HNO3溶液中浸泡30s;C.将经过B处理后的样品取出,室温下晾干;第四步:制备三氧化钼纳米棒将第三步中处理的样品放入管式炉,600℃退火2h,10℃/min,得到三氧化钼纳米棒。
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