[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，超结结构由填充于沟槽中的第二导电类型柱和由沟槽之间的第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱交替排列组成超结结构；沟槽的侧面倾斜；第二导电类型柱包括第一和第二填充层，第一填充层覆盖在沟槽的侧面和底部表面，第二填充层叠加在所述第一填充层的表面；两填充层都为第二导电类型掺杂且第一填充层的掺杂浓度高并使第二导电类型柱在沟槽的不同深度处的掺杂总量主要由第一填充层确定，抑制沟槽侧面倾斜结构对沟槽的不同深度处的掺杂总量的影响，提高沟槽的不同深度处的P和N型掺杂总量的平衡。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高侧面倾斜沟槽的顶部和底部的P和N型杂质的平衡，提高击穿电压。

主权项

一种超结器件，其特征在于：在第一导电类型外延层上形成有多个沟槽，在所述沟槽中填充有第二导电类型柱，填充于所述沟槽中的所述第二导电类型柱和由所述沟槽之间的所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱交替排列组成超结结构；所述沟槽的侧面为倾斜结构使所述沟槽的底部宽度小于顶部宽度，从而有利于所述沟槽的刻蚀和所述第二导电类型柱的填充从而减少填充缺陷；所述第二导电类型柱包括第一填充层和第二填充层，所述第一填充层覆盖在所述沟槽的侧面和底部表面，所述第二填充层叠加在所述第一填充层的表面；所述第一填充层和所述第二填充层都为第二导电类型掺杂且所述第一填充层的掺杂浓度为所述第二填充层的掺杂浓度的2倍以上，使所述第二导电类型柱在所述沟槽的不同深度处的第二导电类型掺杂总量主要由所述第一填充层确定，从而抑制所述沟槽的底部宽度小于顶部宽度的侧面倾斜结构对所述沟槽的不同深度处的第二导电类型掺杂总量的影响，从而提高所述沟槽的不同深度处的第二导电类型掺杂总量和相邻的所述第一导电类型柱的第一导电类型掺杂总量的平衡。