[发明专利]一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法

摘要

本发明公开了一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，该方法包括如下步骤选择底硅层厚度大于等于TSV圆片厚度的SOI圆片，并将SOI圆片的底硅层厚度减到TSV圆片厚度；在SOI圆片底硅层表面光刻出所需的TSV盲孔图形；并沿光刻出的TSV盲孔图形刻蚀出TSV盲孔至SOI圆片的氧埋层停止；在SOI圆片底硅层表面依次淀积绝缘层、阻挡层和种子层，在淀积后的表面和TSV盲孔的内壁电镀一层金属铜，形成TSV互连；去除SOI圆片顶硅层；在去除了顶硅层后剩下的氧埋层表面光刻出TSV通孔图形，并沿TSV通孔图形刻蚀出TSV通孔；在氧埋层表面淀积或电镀一层导电材料，图形化并刻蚀形成电连线。本发明方法解决了盲孔刻蚀深度不均匀性带来的铜柱高度不均匀的问题，保证了TSV铜柱在一个平面上。

主权项

一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，选择底硅层厚度大于等于TSV圆片厚度的SOI圆片，并将SOI圆片的底硅层厚度减到TSV圆片厚度；步骤2，在SOI圆片的底硅层表面光刻出所需的TSV盲孔图形；步骤3，在SOI圆片的底硅层表面沿步骤2光刻出的TSV盲孔图形刻蚀出TSV盲孔至SOI圆片的氧埋层停止；步骤4，在SOI圆片的底硅层表面依次淀积绝缘层、阻挡层和种子层，在淀积后的表面和TSV盲孔的内壁电镀一层金属铜，形成TSV互连；步骤5，去除SOI圆片的顶硅层；步骤6，在去除了顶硅层后剩下的氧埋层表面光刻出TSV通孔图形，并沿TSV通孔图形刻蚀出TSV通孔至步骤4金属铜层停止，且TSV通孔的孔径小于TSV盲孔的孔径；步骤7，在氧埋层表面淀积或电镀一层导电材料，图形化并刻蚀形成电连线，从而完成TSV圆片的加工。