[发明专利]一种三氧化钼‑聚吡咯‑聚苯胺三元复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610404822.5 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106065180B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 刘天西;张超;刘颖;王开;刘思良;李乐;杨静;赵哲 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C08L79/02 | 分类号： | C08L79/02;C08L79/04;C08K3/22;C08G73/02;C08G73/06;H01M4/60;H01M4/36 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹,王婧 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三氧化钼‑聚吡咯‑聚苯胺三元复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤1通过水热法制备三氧化钼纳米带；步骤2在三氧化钼纳米带上原位生长聚吡咯得到三氧化钼‑聚吡咯二元复合材料；步骤3以三氧化钼‑聚吡咯二元复合材料为模板在其表面原位生长聚苯胺得到三氧化钼‑聚吡咯‑聚苯胺三元复合材料。本发明所制备的三氧化钼‑聚吡咯‑聚苯胺三元复合材料可用作高性能超级电容器以及锂离子电池、太阳能电池等新型能源的理想电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钼 吡咯 苯胺 三元 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三氧化钼‑聚吡咯‑聚苯胺三元复合材料的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：通过水热法制备三氧化钼纳米带；步骤2：在三氧化钼纳米带上原位生长聚吡咯得到三氧化钼‑聚吡咯二元复合材料；步骤3：以三氧化钼‑聚吡咯二元复合材料为模板在其表面原位生长聚苯胺得到三氧化钼‑聚吡咯‑聚苯胺三元复合材料。
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