[发明专利]使用解码器/编码器的硅通孔冗余方案及结构有效
| 申请号： | 201610405000.9 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106252331B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | S·卡纳安;K·卡纳安 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种使用解码器/编码器的硅通孔冗余方案及结构，其提供一种方法用于使用24解码器及42编码器将与TSV阵列的不良TSV关连或对应的信号位元重新定向至TSV阵列中由冗余TSV组成的横行或直列，以及所得装置。数个具体实施例包括形成TSV阵列于3D IC堆栈的底晶粒及顶晶粒之间，该TSV阵列有由冗余TSV组成的横行及直列；鉴定该TSV阵列中的不良TSV；判定是否要使与该不良TSV关连或对应的信号位元在第一及/或第二方向朝该冗余TSV横行或直列移位；以及使该信号位元在该第一及/或该第二方向移位直到该信号位元已重新定向至该冗余TSV横行或直列。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 解码器 编码器 硅通孔 冗余 方案 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，该方法包含下列步骤：形成硅通孔(TSV)阵列于三维(3D)集成电路(IC)堆栈的底晶粒与顶晶粒之间，该硅通孔阵列有由冗余TSV组成的横行及直列，其中，于该硅通孔阵列中的各个TSV连接至在该底晶粒中的2：4解码器和在该顶晶粒中的4：2优先序编码器；鉴定该硅通孔阵列中的不良TSV；判定是否要使与该不良TSV关连或对应的信号位元在第一及/或第二方向向该冗余TSV的横行或直列移位；以及使该信号位元在该第一及/或该第二方向移位直到该信号位元已重新定向至该冗余TSV的横行或直列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610405000.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自对准闪存器件
- 下一篇：热敏电阻搭载装置及热敏电阻部件
