[发明专利]芯片的制备方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610406762.0 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107481918B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张士健;郑喆;徐佳明;戴文旗;刘晓杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种芯片的制备方法及刻蚀方法。所述芯片的制备方法包括提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同。由此实现了更多芯片共用一个晶圆，可以节约生产资源，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制备 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种芯片的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同；其中，M、N均为大于等于2的正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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