[发明专利]掩膜版图形的修正方法有效
| 申请号： | 201610407624.4 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107490932B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽;李亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括：相邻的第一图形区和第二图形区；对第一图形区进行光学邻近效应修正，形成第一修正图形区，第一修正图形区包括第一主修正图形区和位于第一主修正图形区外围的第一内边带区；对第二图形区进行光学邻近效应修正，形成第二修正图形区，第二修正图形区包括第二主修正图形区和位于所述第二主修正图形区外围的第二内边带区；对第一修正图形区和第二修正图形区进行缝合，第一内边带区和第二内边带区形成内边带区，内边带区中具有目标图形；对内边带区中的目标图形进行光学邻近效应修正，形成目标修正图形。所述的掩膜版图形的修正方法能够减小形成的修正图形的畸变。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括：相邻的第一图形区和第二图形区；对所述第一图形区进行第一光学邻近效应修正，形成第一修正图形区，所述第一修正图形区包括第一主修正图形区和位于所述第一主修正图形区外围的第一内边带区；对所述第二图形区进行第二光学邻近效应修正，形成第二修正图形区，所述第二修正图形区包括第二主修正图形区和位于所述第二主修正图形区外围的第二内边带区；对所述第一修正图形区和第二修正图形区进行缝合，所述第一内边带区和第二内边带区形成内边带区，所述内边带区中具有目标图形；对所述内边带区中的目标图形进行第三光学邻近效应修正，形成目标修正图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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