[发明专利]提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂有效
申请号: | 201610408071.4 | 申请日: | 2016-06-12 |
公开(公告)号: | CN107487767B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 李清文;刘丹;邱松;张锦;金赫华;李红波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C01B32/172 | 分类号: | C01B32/172;C01B32/159 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂。所述方法包括:将单壁碳纳米管样品、第一聚合物和第二聚合物于溶剂中均匀混合形成液相混合体系,并使单壁碳纳米管样品在液相混合体系中充分分散,之后对液相混合体系离心处理,分离上清液,实现半导体性单壁碳纳米管的选择性分离;第一聚合物和第二聚合物均能与半导体性单壁碳纳米管特异性结合,且第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度,而结合强度小于第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度。本发明可实现高产量、高纯度、高分散性的半导体性单壁碳纳米管的选择性分离,降低了成本,提高了分离的重复性和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 提高 选择性 分散 半导体 纳米 管产率 方法 试剂 | ||
【主权项】:
一种提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法,其特征在于包括:将单壁碳纳米管样品、第一聚合物和第二聚合物于溶剂中均匀混合形成液相混合体系,并使单壁碳纳米管样品在所述液相混合体系中充分分散,之后对所述液相混合体系进行离心处理,分离出上清液,实现半导体性单壁碳纳米管的选择性分离;其中,所述第一聚合物和第二聚合物均能溶于所述溶剂,并均能与半导体性单壁碳纳米管特异性结合,且所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度,而所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度小于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度。
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