[发明专利]包括接触层的CMOS-MEMS集成装置及制造方法在审
| 申请号： | 201610409113.6 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106241729A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李大成;辛宗祐;J·I·辛;P·斯迈伊丝 | 申请（专利权）人： | 因文森斯公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国，加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括接触层的CMOS‑MEMS集成装置及制造方法，其是一种用于形成MEMS装置的方法。该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 接触 cmos mems 集成 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成MEMS装置的方法，其中该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底；其中该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层，该方法包含以下循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。
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