[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：在第一开口底部和侧壁上形成高k栅介质层，所述高k栅介质层还位于所述暴露出的NMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁上；在所述高k栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成N型功函数层，所述N型功函数层内含有Al离子；对所述N型功函数层进行回流退火处理，所述回流退火处理适于使位于所述拐角区域的N型功函数层厚度变厚，且还适于使所述拐角区域的N型功函数层内的Al离子向所述阻挡层内扩散；在进行所述回流退火处理之后，在所述N型功函数层上形成填充满所述第一开口的金属层。本发明增加了NMOS鳍式场效应管的沟道区的有效沟道长度，改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供包括NMOS区域的衬底、位于衬底上分立的鳍部，所述衬底上形成有覆盖鳍部侧壁的隔离层，所述隔离层顶部低于鳍部顶部，且所述隔离层上形成有层间介质层，其中，所述NMOS区域的层间介质层内形成有第一开口，所述第一开口横跨NMOS区域的鳍部，且暴露出NMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁，所述第一开口的底部与侧壁之间具有拐角区域；在所述第一开口底部和侧壁上形成高k栅介质层，所述高k栅介质层还位于所述暴露出的NMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁上；在所述高k栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成N型功函数层，所述N型功函数层内含有Al离子；对所述N型功函数层进行回流退火处理，所述回流退火处理适于使位于所述拐角区域的N型功函数层厚度变厚，且还适于使所述拐角区域的N型功函数层内的Al离子向所述阻挡层内扩散；在进行所述回流退火处理之后，在所述N型功函数层上形成填充满所述第一开口的金属层。