[发明专利]CMOS图像传感器的鳍式场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201610418700.1 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107492500B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，包括：形成至少三个相邻的凸起结构，所述中间凸起结构定义为沟道区域，所述周边凸起结构为辅助凸起结构；填充介质层覆盖凸起结构；刻蚀所述中间凸起结构与辅助凸起结构之间的区域，形成凹槽；形成栅极氧化物层，填充多晶硅层于凹槽中，形成栅极区域。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成至少三个相邻的凸起结构，所述中间凸起结构定义为沟道区域，所述周边凸起结构为辅助凸起结构；填充介质层覆盖凸起结构；刻蚀所述中间凸起结构与辅助凸起结构之间的区域，形成凹槽；形成栅极氧化物层，并填充多晶硅层于凹槽中，形成栅极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
