[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
申请号: | 201610420451.X | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN107492501B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 李勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供包括有效区、位于有效区两侧的第一边缘区、以及位于第一边缘区一侧的第二边缘区的基底,基底上形成有鳍部;形成覆盖有效区鳍部上以及第一边缘区鳍部上的第一图形层;刻蚀去除第二边缘区第一厚度的鳍部;形成覆盖有效区鳍部上的第二图形层;以第二图形层为掩膜,刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部,且第二厚度小于第一厚度。本发明通过减小紧挨有效区的第一边缘区基底上鳍部被刻蚀去除的量,从而减小或避免了第二图形层受到刻蚀损伤,从而防止有效区基底上的鳍部暴露在刻蚀环境中,避免有效区基底上鳍部受到刻蚀损伤,保证有效区基底上的鳍部具有良好的形貌,相应使得形成的鳍式场效应管的性能得到改善。 | ||
搜索关键词: | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括有效区、位于所述有效区相对两侧的第一边缘区,所述基底还包括位于所述第一边缘区一侧的第二边缘区,其中,所述第二边缘区和所述有效区分别位于所述第一边缘区相对两侧,且有效区、第一边缘区以及第二边缘区基底上形成有分立的鳍部;在所述有效区鳍部和基底上、以及第一边缘区鳍部和基底上形成第一图形层;以所述第一图形层为掩膜,刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部;去除所述第一图形层;在所述有效区鳍部和基底上形成第二图形层;以所述第二图形层为掩膜,刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部,且所述第二厚度小于第一厚度;去除所述第二图形层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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