[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201610420451.X 申请日: 2016-06-13
公开(公告)号: CN107492501B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 李勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供包括有效区、位于有效区两侧的第一边缘区、以及位于第一边缘区一侧的第二边缘区的基底,基底上形成有鳍部;形成覆盖有效区鳍部上以及第一边缘区鳍部上的第一图形层;刻蚀去除第二边缘区第一厚度的鳍部;形成覆盖有效区鳍部上的第二图形层;以第二图形层为掩膜,刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部,且第二厚度小于第一厚度。本发明通过减小紧挨有效区的第一边缘区基底上鳍部被刻蚀去除的量,从而减小或避免了第二图形层受到刻蚀损伤,从而防止有效区基底上的鳍部暴露在刻蚀环境中,避免有效区基底上鳍部受到刻蚀损伤,保证有效区基底上的鳍部具有良好的形貌,相应使得形成的鳍式场效应管的性能得到改善。
搜索关键词: 场效应 形成 方法
【主权项】:
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括有效区、位于所述有效区相对两侧的第一边缘区,所述基底还包括位于所述第一边缘区一侧的第二边缘区,其中,所述第二边缘区和所述有效区分别位于所述第一边缘区相对两侧,且有效区、第一边缘区以及第二边缘区基底上形成有分立的鳍部;在所述有效区鳍部和基底上、以及第一边缘区鳍部和基底上形成第一图形层;以所述第一图形层为掩膜,刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部;去除所述第一图形层;在所述有效区鳍部和基底上形成第二图形层;以所述第二图形层为掩膜,刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部,且所述第二厚度小于第一厚度;去除所述第二图形层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610420451.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top