[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4‑2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于‑0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。本发明不仅衰减低，而且芯包层设置合理，粘度匹配优，制作工艺简便。

主权项

一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4‑2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于‑0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层；所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.161dB/km。